Advanced Electronic Materials
07 September 2020
Activación silenciosa de sinapsis mediante vacantes de oxígeno inducidas por plasma en memristor basado en nanocables de TiO2
Xuanyu Shan, Zhongqiang Wang,Ya Lin, Tao Zeng, Xiaoning Zhao, Haiyang Xu,and Yichun Liu
Centro de Investigación de Materiales Funcionales Optoelectrónicos Avanzados y Laboratorio Clave de Tecnología y Materiales Emisores de Luz UV (Universidad Normal del Noreste), Ministerio de Educación, 5268 Renmin Street, Changchun, 130024 China
10.1002/aelm.202000536
En el número de artículo 2000536 Por Zhongqiang Wang, Haiyang Xu, Yichun Liu y sus colaboradores, la activación de la sinapsis silenciosa a la sinapsis funcional se demuestra mediante el tratamiento con plasma en un memristor basado en nanocables de TiO2. El dispositivo prístino actúa como una sinapsis silenciosa sin plasticidad sináptica y el dispositivo tratado con plasma imitó la sinapsis funcional, lo que es beneficioso para expandir la plasticidad de la sinapsis artificial.
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