Electron
15 June 2024
Dispositivo de conmutación eléctrica basado en Sb-Se con rápida velocidad de transición y mínima degradación del rendimiento gracias a estados estables de espacio intermedio.
Xianliang Mai1,†, Qundao Xu1,†, Zhe Yang1,†, Huan Wang1, Yongpeng Liu1, Yinghua Shen1, Hengyi Hu1, Meng Xu2, Zhongrui Wang2, Hao Tong1,3, Chengliang Wang1,*, Xiangshui Miao1,3, Ming Xu1,3,*
1 Laboratorio Nacional de Optoelectrónica de Wuhan, Facultad de Circuitos Integrados, Universidad de Ciencia y Tecnología de Huazhong, Wuhan, China
2 Departamento de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, Universidad de Hong Kong, Hong Kong, China
3 Laboratorios de Memoria Hubei Yangtze, Wuhan, China
† Xianliang Mai, Qundao Xu y Zhe Yang contribuyeron igualmente a este trabajo.
10.1002/elt2.46
El dispositivo de conmutación de umbral ovónico (OTS) basado en calcogenuro, reconocido por su rapidez y fiabilidad, se perfila como un componente indispensable en chips de memoria y arquitecturas de computación neuromórfica. Sin embargo, este material funcional es propenso a la relajación vítrea, lo que genera un deterioro del rendimiento y variabilidad del voltaje de conmutación de umbral a lo largo de múltiples ciclos de conmutación. En esta imagen de portada (DOI: 10.1002/elt2.46), los autores propusieron un dispositivo OTS binario simple para abordar este problema. Una exploración exhaustiva mediante cálculos de primeros principios ha revelado los mecanismos fundamentales que sustentan el robusto rendimiento del material.
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